Я не издеваюсь. Я считаю что исходная схема вполне работоспособна при соответсвующей настройке. Даже если в ней не менять номиналы конденсатора. Главное выполнить сильную связь между первичной и вторичной обмоткой связанного контура.
Не в курсе почему ни кто в классической схеме блокинга ни когда не додумывался сделать ОС, гальванически связаную с высоковольтной обмоткой?
Там вообще по рисунку если смотреть - индутивная связь будет во всю катушку...
То есть, ежели ей связь организовать как надо (а это вполне реально, чего уж там - поиграться с геометрией или сердечником) - получим наведённую ЭДС в обмотке, втыкнутой в базу.
По идее эта обмотка должна породить ток базы, который должен открыть транзистор дальше, дальше... и так до насыщения, когда рост тока замедлится, dU(dT) станет - и транзистор так же лавинообразно закроется.
Вот терь внимание: Нарисуй мне путь тока в обмотке со щеточкой. Ну она же там HV? И она же - обратная связь? - вот и рисуй - пути тока обратной связи (базовой цепи транзистора) и тока нагрузки (представим, что получили разряд).
Впеееерёд
И ты рисуй путь тока в ОС и в нагрузке.
P.S. Мож я чего не понимаю, или кто-то картинко перепутал? Я про эту если шо:
Внимательно смотрим соотношение витков.
Вру - на него вообще не смотрим. Просто рисуем путь тока нагрузки в обмотке где 200-400 витков. Нагрузка - разряд.
Я молчу про то, что флаем это не будет ни когда - там диода нет и нагружено будет и в прямой ход и в обратный.