Змінюй хід війни! Допомагай ЗСУ!

RRAM – скорый переворот в области оперативной памяти.

  • Автор теми Автор теми Naprikovsky
  • Дата створення Дата створення

Naprikovsky

Привіт!
Статус: Офлайн
Реєстрація: 06.10.2008
Повідом.: 8
RRAM – скорый переворот в области оперативной памяти.

Вот что-то лазил в интернете нашел интересную статейку:

"Калифорнийское отделение австралийской компании 4D-S Pty. Ltd. В результате длительных исследований вплотную подошла к промышленной реализации технологии RRAM (Resistive Random Access Memory), которая вполне способна совершить переворот на рынке оперативной памяти."
тара ля ля...
"энергонезависимая память с огромной емкостью, временем записи менее 5 наносекунд и способная выдержать более миллиарда циклов стирания-записи"
Слабо верится конечно, но всё же... Как вы думаете это возможно хотя бы в теории?
Источник: Посилання видалено
 
Правильно, используется FRAM, но считывание с помощью магниторезистивного эффекта (см. устройство и принцип работы головки считывания НЖМД). Так что ничего нового они не придумали. Сейчас вообще ничего нового придумать нельзя - все известно очень давно, вопрос лишь в технологии реализации.

PS: FRAM вообще-то выдерживает не "более миллиарда" циклов записи, а теоретически бесконечное число, которое на практике ограничивается "временем жизни" корпуса микросхемы.
 
Причем тут FRAM?
Ключевое слово мемристор.

Читать тут:
Посилання видалено
Посилання видалено
Посилання видалено
 
Назад
Зверху Знизу