Учёные показали прообраз магнитного процессора
По мнению авторов опыта, сотовая структура из крошечных магнитов способна служить средством хранения и даже обработки информации, работающим по принципу нейронной сети.
Физики из Имперского колледжа Лондона построили плоскую гексагональную решётку из кобальтовых магнитов. Каждый из них насчитывает в длину 1 микрометр и 100 нм в ширину. Эта сетка покрывает квадрат со сторонами 100 мкм.
Опыт показал: при охлаждении до 50 кельвинов микроскопические магниты взаимодействуют так, что в этом «аналоге кристаллической решётки» наблюдаются разные фазовые переходы, возникают магнитные дефекты, похожие на монополи, и потоки магнитных зарядов. Такую структуру авторы разработки называют искусственным спиновым льдом.
........
Для использования спинового льда в качестве средства хранения данных и также в роли процессора имеется несколько предпосылок. Один узел решётки представляет собой точку соприкосновения трёх магнитов, по меньшей мере два из которых неизбежно сойдутся одноимёнными полюсами. При внешнем воздействии такие магнитные бруски способны менять своё состояние и по цепочке влиять на полярность всех соседей. Это напоминает передачу сигнала нейронами.
Благодаря взаимодействию соседних магнитов по определённым правилам такую решётку можно превратить в некое подобие нейронной сети
(иллюстрация W. R. Branford et al./ Science).
И если для одного узла существует несколько возможных состояний (направлений магнитных потоков в трёх сходящихся лучах), то при наращивании числа сот количество потенциальных магнитных узоров на подобной плоскости растёт экспоненциально.
⚠ Тільки зареєстровані користувачі бачать весь контент та не бачать рекламу.
До полупроводниковой оперативной памяти в тех же целях использовались ферромагнитные кольца. История развития магнитной памяти началась в 50-х годах и ещё не закончилась.
Исследователи из IBM создали самую крохотную ячейку магнитной памяти в истории – она состоит всего из 12 атомов железа. Эта технология «поатомного» строительства компьютерной памяти может стать основой будущих высокоэффективных и емких устройств для хранения данных.
В настоящее время ученые планируют построить более крупную ячейку памяти, состоящую из 150 атомов. Возможно, это позволит выполнить требование по хранению информации в течение 10 лет при комнатной температуре. Разумеется, такая ячейка больше по размерам, чем 12-атомная, но все равно намного миниатюрнее ячеек в современных устройствах хранения.
⚠ Тільки зареєстровані користувачі бачать весь контент та не бачать рекламу.
Магниторезистивная оперативная память (MRAM — англ. magnetoresistive random-access memory) — запоминающее устройство с произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов.
Важнейшее преимущество этого типа памяти — энергонезависимость, то есть способность сохранять записанную информацию (например, программные контексты задач в системе и состояние всей системы) при отсутствии внешнего питания.
Технология магниторезистивной памяти разрабатывается с 1990-х годов. В сравнении с растущим объемом производства других типов компьютерной памяти, особенно флэш-памятью и памятью типа DRAM, она пока широко не представлена на рынке. Однако её сторонники верят, что благодаря ряду преимуществ, она в конечном счёте заменит все типы компьютерной памяти, и станет по-настоящему «универсальной» компьютерной памятью.
https://ru.wikipedia.org/wiki/Магниторезистивная_оперативная_память
Всегда было можно. Дело не в ключах, а в синтетике ткани штанов - статическое электричество все гробило.опять нельзя будет флешки радом с магнитными ключами носить