Так, что же там все таки с усилителем Агеева?
Наверное не соберусь сваять его, если кому нужны платы - в лс.
Кстати последние свежие рекомендации Агеева:
Агеев:
1) конструктивное выполнение, практически убирающее полную (с учетом цепей питания) индуктивность цепей коллекторов и эмиттеров выходных транзисторов, как за счет сокращения длины проводников, так и за счет близости "земель" - то есть сокращения эффективной площади контуров протекания тока.
2) использование достаточного числа выходных, и, главное, предвыходных транзисторов. Эффективная паразитная индуктивность эмиттерных цепей (и, соответственно, выхода УМ до замыкания ООС) при этом снижается в N раз, где N-число транзисторов. Естественно, существует оптимальное их число в зависимости от конструкции и режимов работы, когда этот эффект еще не перекрывается ростом габаритов и суммарных емкостей.
3) использование разброса напряжений база-эмиттер выходных транзисторов для обеспечения плавного переключения плеч одновременно с очень большим суммарным током покоя при малом результирующем сопротивлении параллельно работающих эмиттерных резисторов (изменение выходного сопротивления без ООС при изменении выходного тока и переходе его через нуль не превышает 40-50 миллиом, что обеспечивает собственные искажения выходного каскада на уровне заведомо менее 0,2%, порядка 0.05%, а до 5 Вт - менее 0.02%).
4) обеспечение работы предвыходных транзисторов строго в классе А даже при отработке максимальных скоростей, развиваемых УН.
5) Гарантия отсутствия попадания выходных транзисторов в режим квазинасыщения на пиках сигнала при малом падении напряжения на них за счет небольшого тока, приходящегося на каждый транзистор. "
Кто нибудь может эти рекомендации пояснить в доступной форме?
Наверное не соберусь сваять его, если кому нужны платы - в лс.
Кстати последние свежие рекомендации Агеева:
Агеев:
1) конструктивное выполнение, практически убирающее полную (с учетом цепей питания) индуктивность цепей коллекторов и эмиттеров выходных транзисторов, как за счет сокращения длины проводников, так и за счет близости "земель" - то есть сокращения эффективной площади контуров протекания тока.
2) использование достаточного числа выходных, и, главное, предвыходных транзисторов. Эффективная паразитная индуктивность эмиттерных цепей (и, соответственно, выхода УМ до замыкания ООС) при этом снижается в N раз, где N-число транзисторов. Естественно, существует оптимальное их число в зависимости от конструкции и режимов работы, когда этот эффект еще не перекрывается ростом габаритов и суммарных емкостей.
3) использование разброса напряжений база-эмиттер выходных транзисторов для обеспечения плавного переключения плеч одновременно с очень большим суммарным током покоя при малом результирующем сопротивлении параллельно работающих эмиттерных резисторов (изменение выходного сопротивления без ООС при изменении выходного тока и переходе его через нуль не превышает 40-50 миллиом, что обеспечивает собственные искажения выходного каскада на уровне заведомо менее 0,2%, порядка 0.05%, а до 5 Вт - менее 0.02%).
4) обеспечение работы предвыходных транзисторов строго в классе А даже при отработке максимальных скоростей, развиваемых УН.
5) Гарантия отсутствия попадания выходных транзисторов в режим квазинасыщения на пиках сигнала при малом падении напряжения на них за счет небольшого тока, приходящегося на каждый транзистор. "
Кто нибудь может эти рекомендации пояснить в доступной форме?
Вкладення
Останнє редагування:
