Не существует одновременно высоковольтных и сильноточных дискретных транзисторов, т.к. прийдётся делать широкую базу (да-да, не удивляйтесь, даже у мосфетов есть то, что называется базой) с высокой концентрацией носителей, но такой транзистор будет иметь малое быстродесттвие. Но в любом случае смотрите среди IR, NXP или Toshiba
